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IXTH200N10T
IXTQ200N10T
250
Fig. 7. Input Admittance
160
Fig. 8. Transconductance
225
200
175
150
140
120
100
T J = - 40oC
25oC
125
100
T J = 150oC
25oC
- 40oC
80
60
150oC
75
40
50
25
0
20
0
3.5
4.0
4.5
5.0
5.5
6.0
6.5
7.0
7.5
0
25
50
75
100
125
150
175
200
225
250
300
V GS - Volts
Fig. 9. Forward Voltage Drop of
Intrinsic Diode
10
I D - Amperes
Fig. 10. Gate Charge
270
240
210
180
150
9
8
7
6
5
V DS = 50V
I D = 25A
I G = 10mA
120
90
60
30
0
T J = 150oC
T J = 25oC
4
3
2
1
0
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1.0
1.1
1.2
0
20
40
60
80
100
120
140
160
100,000
V SD - Volts
Fig. 11. Capacitance
1.00
Q G - NanoCoulombs
Fig. 12. Maximum Transient Thermal
Impedance
f = 1MHz
Ciss
10,000
0.10
Coss
1,000
Crss
100
0.01
0
5
10
15
20
25
30
35
40
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
V DS - Volts
Pulse Width - Seconds
IXYS reserves the right to change limits, test conditions, and dimensions.
IXYS REF: T_200N10T(6V)9-30-08-D
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